삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스에서 3나노 파운드리 제품 출하식을 열었다. 

삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 극자외선(EUV) 전용 파운드리(반도체 위탁생산) 시설인 V1 라인에서 게이트 올 어라운드(GAA) 기술을 적용한 3㎚(나노미터·10억 분의 1m) 파운드리 제품 출하식을 열었다.

이날 행사는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 DS(반도체) 부문장(사장)과 협력업체, 팹리스(반도체 설계) 업체 대표 등 100여 명이 참석했다.

삼성전자 파운드리사업부는 3나노 GAA 공정 양산과 선제적 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다고 포부를 밝혔다. 경 사장은 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 임직원을 격려하며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적 결과”라고 말했다.

이 장관은 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의 노고에 감사를 표한다며 “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장(소재·부품·장비) 업계가 힘을 모아달라”고 당부했다. 이어 “정부도 지난주 발표한 반도체 초강대국 달성전략을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적 노력을 아끼지 않을 것”이라고 강조했다.

행사에 참석한 반도체 장비 업체 원익IPS 이현덕 대표는 “삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리 공정 양산을 준비하며 원익아이피에스 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다”며 “앞으로도 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다”고 밝혔다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초 시작했다. 2017년부터 이를 3나노 공정에 본격적으로 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 양산을 발표했다. 삼성전자는 고성능 컴퓨팅(HPC)용 시스템 반도체를 시작으로 모바일 시스템온칩(SoC) 등에 공정을 확대에 적용할 계획이다. 아울러 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 화성캠퍼스에서 경기도 평택캠퍼스까지 확대해 나가겠다고 밝혔다.